GBPC3502T GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 326.28 грн |
10+ | 252.1 грн |
25+ | 230.98 грн |
100+ | 189.95 грн |
250+ | 174.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC3502T GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, GBPC-T, Mounting Type: QC Terminal, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-T, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBPC3502T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBPC3502T | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Rectifier Bridge Single 200V 35A 4-Pin Case GBPC-T |
товару немає в наявності |
||
GBPC3502T | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 200 V - 35 A |
товару немає в наявності |