GBL08-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 17899 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.92 грн |
10+ | 94.1 грн |
100+ | 63.91 грн |
500+ | 53.33 грн |
1000+ | 43.45 грн |
2000+ | 42.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL08-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції GBL08-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBL08-E3/45 | Виробник : Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Tube |
товар відсутній |
||
GBL08-E3/45 | Виробник : Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Tube |
товар відсутній |
||
GBL08-E3/45 | Виробник : Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 800V 4A 4-Pin Case GBL Tube |
товар відсутній |
||
GBL08-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |