GBL02-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![gbl005.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL02-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBL02-M3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBL02-M3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |