![GBL01E-E3/P GBL01E-E3/P](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/GBLxxE-series_SPL.jpg)
GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.8 грн |
10+ | 92.95 грн |
100+ | 63.05 грн |
500+ | 53.42 грн |
1000+ | 43.44 грн |
2000+ | 40.91 грн |
5000+ | 39.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBL01E-E3/P Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V, Current - Average Rectified (Io): 2.6 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції GBL01E-E3/P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBL01E-E3/P | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
GBL01E-E3/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 2.6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |