Технічний опис GBJ30J GeneSiC Semiconductor
Description: 600V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 30 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBJ30J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBJ30J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 30 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
||
![]() |
GBJ30J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |