GBJ25M GeneSiC Semiconductor
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.33 грн |
10+ | 135.48 грн |
25+ | 105.04 грн |
100+ | 88.71 грн |
200+ | 78.78 грн |
600+ | 71.68 грн |
1000+ | 66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ25M GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ25M
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBJ25M | Виробник : Good-Ark | Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3.5A 4-Pin Case GBJ |
товару немає в наявності |
||
GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
||
GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
||
GBJ25M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 1000V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |