GBJ25G GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.79 грн |
10+ | 137.32 грн |
25+ | 106.46 грн |
100+ | 91.36 грн |
200+ | 77.69 грн |
600+ | 72.65 грн |
1000+ | 66.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ25G GeneSiC Semiconductor
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.
Інші пропозиції GBJ25G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GBJ25G | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 400V 4.5A 4-Pin Case GBJ |
товар відсутній |
||
GBJ25G | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 400V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товар відсутній |