![GBJ10M GBJ10M](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/F8/8D/00/00/0/55439_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a53a44838eeb968d06559a204bc5e18db4e1fcf1)
GBJ10M DC COMPONENTS
![GBJ10x.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 10A; Ifsm: 210A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 210A
Version: flat
Case: GBJ4-10
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 54.59 грн |
12+ | 31.86 грн |
20+ | 25.64 грн |
37+ | 23.32 грн |
100+ | 22.02 грн |
500+ | 21.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10M DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 10A; Ifsm: 210A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 210A, Version: flat, Case: GBJ4-10, Electrical mounting: THT, Leads: flat pin, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.1V, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10M за ціною від 25.81 грн до 65.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10M | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 10A; Ifsm: 210A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 10A Max. forward impulse current: 210A Version: flat Case: GBJ4-10 Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 813 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
GBJ10M | Виробник : DC Components |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
GBJ10M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBJ10M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
GBJ10M | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |