![GBJ10K GBJ10K](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/F8/8D/00/00/0/55439_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a53a44838eeb968d06559a204bc5e18db4e1fcf1)
GBJ10K DC COMPONENTS
![GBJ10x.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 210A
Case: GBJ4-10
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.8kV
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: THT
Version: flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Leads: flat pin
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 210A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 54.73 грн |
11+ | 32.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ10K DC COMPONENTS
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 210A, Case: GBJ4-10, Kind of package: tube, Max. off-state voltage: 0.8kV, Features of semiconductor devices: glass passivated, Electrical mounting: THT, Version: flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Leads: flat pin, Max. forward voltage: 1.1V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 210A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції GBJ10K за ціною від 21.34 грн до 65.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GBJ10K | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 210A Case: GBJ4-10 Kind of package: tube Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated Electrical mounting: THT Version: flat Type of bridge rectifier: single-phase Leads: flat pin Max. forward voltage: 1.1V Load current: 10A Max. forward impulse current: 210A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GBJ10K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
GBJ10K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
GBJ10K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
GBJ10K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |