GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GB05MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GB05MPS17-247
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GB05MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
||
GB05MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.7KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
||
GB05MPS17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 334pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 1700 V |
товару немає в наявності |