GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Supplier Device Package: TO-247AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V.
Інші пропозиції GA08JT17-247
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GA08JT17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247ABPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Supplier Device Package: TO-247AB Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V |
товар відсутній |