![GA04JT17-247 GA04JT17-247](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/1242_TO-247-3.jpg)
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor
![GA04JT17-247.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 4A TO247AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Supplier Device Package: TO-247AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V.
Інші пропозиції GA04JT17-247
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GA04JT17-247 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |