![G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5560/MFG_G3R.jpg)
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor
![G3R75MT12J.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 583.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 196W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R75MT12J-TR за ціною від 544.26 грн до 771.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R75MT12J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 196W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
G3R75MT12J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |