Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R75MT12D
G3R75MT12D

G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

G3R75MT12D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+734.45 грн
10+ 637.18 грн
25+ 610.93 грн
100+ 538.57 грн
250+ 516.44 грн
500+ 500.64 грн
1000+ 476.89 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 207W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції G3R75MT12D за ціною від 509.57 грн до 1032.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D-2449867.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+801.14 грн
10+ 711.29 грн
30+ 593.21 грн
120+ 556.66 грн
270+ 534.17 грн
510+ 517.3 грн
1020+ 509.57 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189219.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+820 грн
5+ 789.25 грн
10+ 758.5 грн
50+ 676.5 грн
100+ 598.1 грн
250+ 571.75 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+860.21 грн
2+ 648.68 грн
4+ 613.54 грн
30+ 590.11 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1032.25 грн
2+ 808.35 грн
4+ 736.24 грн
30+ 708.13 грн
G3R75MT12D
Код товару: 177791 		G3R75MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній