G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
![G3R30MT12K.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1576.11 грн |
10+ | 1394.29 грн |
25+ | 1348.49 грн |
100+ | 1202.3 грн |
250+ | 1162.47 грн |
500+ | 1133.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R30MT12K за ціною від 1169.55 грн до 2375.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 155nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 200A Case: TO247-4 |
товар відсутній |