![G3R20MT17N G3R20MT17N](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/33/1A/B0/00/0/762163_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=d067eb7a4159de9ebe5ef8ff6faecab0062193b2)
G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR
![G3R20MT17N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8744.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 523W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G3R20MT17N за ціною від 7939.47 грн до 10492.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R20MT17N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 523W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
G3R20MT17N | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 523W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
G3R20MT17N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
G3R20MT17N | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
G3R20MT17N | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |