Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R20MT12K
G3R20MT12K

G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR

G3R20MT12K.pdf Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 542W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Case: TO247-4
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2283.38 грн
30+ 2103.45 грн
120+ 2039.02 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V, Power Dissipation (Max): 542W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R20MT12K за ціною від 1865.39 грн до 2751.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2524.2 грн
10+ 2234.94 грн
25+ 2162.16 грн
100+ 1928.61 грн
250+ 1865.39 грн
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 542W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2740.06 грн
30+ 2621.22 грн
120+ 2446.82 грн
G3R20MT12K G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2751.1 грн
10+ 2494.37 грн
30+ 2097.33 грн
120+ 1994.01 грн
270+ 1943.4 грн
G3R20MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній