![G3R20MT12K G3R20MT12K](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/03/1A/B0/00/0/762160_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=da80d32720a17c741e9897afc48c75f36a910767)
G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
![G3R20MT12K.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 542W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Case: TO247-4
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2283.38 грн |
30+ | 2103.45 грн |
120+ | 2039.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V, Power Dissipation (Max): 542W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R20MT12K за ціною від 1865.39 грн до 2751.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 542W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 542W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
G3R20MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |