Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G30N04D3
G30N04D3

G30N04D3 Goford Semiconductor

GOFORD-G30N04D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G30N04D3 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V.

Інші пропозиції G30N04D3 за ціною від 12.45 грн до 48.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G30N04D3 G30N04D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.59 грн
10+ 40.15 грн
100+ 27.8 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 18.55 грн
2000+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
G30N04D3 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G30N04D3.pdf N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G30N04D3 G30N04D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товар відсутній