![G2R120MT33J G2R120MT33J](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1230/GA20JT12-263.jpg)
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
![sic-mosfet-selector-guide.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7774.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 402W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G2R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G2R120MT33J за ціною від 7380.66 грн до 11102.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 402W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Technology: G2R™; SiC Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO263-7 Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 250 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
G2R120MT33J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Technology: G2R™; SiC Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO263-7 Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |