![G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5560/MFG_G2R.jpg)
G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor
![G2R1000MT17J.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 331.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G2R1000MT17J-TR за ціною від 309.83 грн до 446.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G2R1000MT17J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
G2R1000MT17J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
G2R1000MT17J-TR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |