Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G2K2P10S2E
G2K2P10S2E

G2K2P10S2E Goford Semiconductor

G2K2P10S2E.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G2K2P10S2E Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції G2K2P10S2E за ціною від 18.7 грн до 54.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Виробник : Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.51 грн
10+ 45.39 грн
100+ 31.46 грн
500+ 24.67 грн
1000+ 20.99 грн
2000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Виробник : Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності