G20P10KE Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.57 грн |
10+ | 60.99 грн |
100+ | 40.51 грн |
500+ | 29.73 грн |
1000+ | 27.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G20P10KE Goford Semiconductor
P-CH,-100V,-20A,RD(max) Less Than 116mOhm at -10V, VTH-1.0V to -3.0V, TO-252.
Інші пропозиції G20P10KE за ціною від 21.26 грн до 21.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G20P10KE | Виробник : GOFORD Semiconductor | P-CH,-100V,-20A,RD(max) Less Than 116mOhm at -10V, VTH-1.0V to -3.0V, TO-252 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
G20P10KE | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3354 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |