![FZT658TA FZT658TA](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/7/31/9/44/24/25/dds_/manual/sot223.jpg)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT658TA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - FZT658TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FZT658TA за ціною від 14.24 грн до 71.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 48540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FZT658TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 130751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FZT658TA Код товару: 185805 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FZT658TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товар відсутній |