![FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4HOSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/11/9/15/46/569/smn_/manual/product_image_62mm_fz.jpg_472149771.jpg)
FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
![8442ds_fz900r12ke4_2_3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 4300000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7644.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ900R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ900R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 4.3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FZ900R12KE4HOSA1 за ціною від 9181.78 грн до 15377.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 4300 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 4.3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Case: AG-62MMES Power dissipation: 4.3kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
FZ900R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Case: AG-62MMES Power dissipation: 4.3kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA |
товар відсутній |