FW907-TL-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 260+ | 80.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FW907-TL-E onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції FW907-TL-E за ціною від 95.15 грн до 95.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FW907-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FW907-TL-E - FW907 - TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FW907-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-SOP |
товар відсутній |