![FS820R08A6P2LBBPSA1 FS820R08A6P2LBBPSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/8/16/9/38/44/920458/smn_/manual/fs820r08a6p2lbbpsa1.jpg)
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
![ds_fs820r08a6p2lb_3_4.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 714000mW Automotive 33-Pin HYBRIDD-1 Tray
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33977.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS820R08A6P2LBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V, Verlustleistung Pd: 714W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: HybridPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS820R08A6P2LBBPSA1 за ціною від 37338.44 грн до 57479.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 175°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 820 A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W Max. off-state voltage: 750V Case: AG-HYBRIDD-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 1.64kA Power dissipation: 714W Electrical mounting: Press-in PCB Technology: HybridPACK™ Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Type of module: IGBT кількість в упаковці: 6 шт |
товар відсутній |
||||||||
FS820R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W Max. off-state voltage: 750V Case: AG-HYBRIDD-1 Semiconductor structure: transistor/transistor Mechanical mounting: screw Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 1.64kA Power dissipation: 714W Electrical mounting: Press-in PCB Technology: HybridPACK™ Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Type of module: IGBT |
товар відсутній |