![FS50R12KT4B15BOSA1 FS50R12KT4B15BOSA1](https://media.digikey.com/Photos/Infineon%20Photos/Infineon-FS50Rx.jpg)
FS50R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Case: AG-ECONO2-6, Pulsed collector current: 100A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Power dissipation: 280W, Technology: EconoPACK™ 2, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції FS50R12KT4B15BOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FS50R12KT4B15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FS50R12KT4B15BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
FS50R12KT4B15BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: AG-ECONO2-6 Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Power dissipation: 280W Technology: EconoPACK™ 2 Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |