FS35R12W1T4BOMA1

FS35R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies


ds_fs35r12w1t4_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 18-Pin EASY1B-1 Tray
на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2192.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS35R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS35R12W1T4BOMA1 за ціною від 2232.22 грн до 3274.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS35R12W1T4BOMA1 FS35R12W1T4BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS35R12W1T4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043139a1bac0113b4be783c0543 Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3274.98 грн
24+ 2810.27 грн
48+ 2642.89 грн
96+ 2314.9 грн
240+ 2232.22 грн