FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2202.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS35R12W1T4B11BOMA1 за ціною від 3257.89 грн до 3257.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS35R12W1T4B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 65A 225WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 65 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|