на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2413.73 грн |
| 10+ | 2194.3 грн |
| 25+ | 1721.15 грн |
| 120+ | 1615.35 грн |
| 280+ | 1537.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS20R06VE3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A, Technology: EasyPACK™, Collector current: 20A, Power dissipation: 71.5W, Case: AG-EASY750-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 40A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Application: Inverter, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: IGBT half-bridge x3, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FS20R06VE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS20R06VE3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A Technology: EasyPACK™ Collector current: 20A Power dissipation: 71.5W Case: AG-EASY750-1 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Topology: IGBT half-bridge x3 Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FS20R06VE3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A Technology: EasyPACK™ Collector current: 20A Power dissipation: 71.5W Case: AG-EASY750-1 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Topology: IGBT half-bridge x3 Type of module: IGBT |
товар відсутній |