![FS150R12KE3BOSA1 FS150R12KE3BOSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2205/FS150R12KT4.jpg)
FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FS150R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311d745388](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MOD 1200V 200A 700W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9737.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 700W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Econo 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS150R12KE3BOSA1 за ціною від 15621.02 грн до 32250.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 700W euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |