![FS13MR12W2M1HB70BPSA1 FS13MR12W2M1HB70BPSA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1_SPL.jpg)
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 21307.7 грн |
10+ | 19672.06 грн |
30+ | 16555.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 6N-CH 1200V 62.5A, Packaging: Tray, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 21550.77 грн до 21550.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA Part Status: Active |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |