Технічний опис FS100R17KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 145A 555W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 555 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS100R17KE3BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS100R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 145A 555W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
|
|
|
FS100R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 145A 555W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
|
 |
FS100R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 145A 555W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 145 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 555 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V |
товар відсутній |