![FS100R07N2E4BPSA1 FS100R07N2E4BPSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5059/FS100R07N2E4BPSA1.jpg)
FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies
![Infineon-FS100R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f5fa2e396f](/images/adobe-acrobat.png)
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8050.6 грн |
15+ | 7076.96 грн |
30+ | 6751.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 335W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 335W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS100R07N2E4BPSA1 за ціною від 6876.44 грн до 11076.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 335W euEccn: NLR Verlustleistung: 335W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FS100R07N2E4BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |