FS05MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 111811.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS05MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm.
Інші пропозиції FS05MR12A6MA1BBPSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FS05MR12A6MA1BBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A Automotive 39-Pin Tray |
товар відсутній |
||
FS05MR12A6MA1BBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2 Part Status: Active |
товар відсутній |