Продукція > INFINEON > FS03MR12A6MA1BBPSA1
FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON

3257212.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+154852.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS03MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: HybridPACK CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FS03MR12A6MA1BBPSA1 за ціною від 160398.03 грн до 160398.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS03MR12A6MA1BBPSA1 FS03MR12A6MA1BBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS03MR12A6MA1B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501787e48f6ef330c Description: SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42500pF @ 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1320nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+160398.03 грн
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FS03MR12A6MA1B_DataSheet_v01_00_EN-2329005.pdf IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE SIC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FS03MR12A6MA1BBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fs03mr12a6ma1b-datasheet-v01_00-en.pdf Drive module with Automotive MOSFET
товар відсутній