FQU5N40TU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 20.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU5N40TU ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FQU5N40TU за ціною від 38.74 грн до 103.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU5N40TU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V |
на замовлення 36535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FQU5N40TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 400V N-Channel QFET |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQU5N40TU |
|
на замовлення 2030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FQU5N40TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.15A Pulsed drain current: 13.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.15A Pulsed drain current: 13.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |