![FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_251_3_t.jpg)
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 78.05 грн |
10+ | 68.52 грн |
100+ | 46.48 грн |
500+ | 38.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.64A, Pulsed drain current: 10.4A, Power dissipation: 45W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU4N50TU-WS
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQU4N50TU_WS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
FQU4N50TU-WS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
FQU4N50TU-WS | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
FQU4N50TU-WS | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQU4N50TU-WS | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
FQU4N50TU-WS | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |