FQPF9P25 ON Semiconductor
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 86.09 грн |
| 10+ | 77.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9P25 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQPF9P25 за ціною від 68.67 грн до 137.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQPF9P25 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQPF9P25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V P-Channel QFET |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FQPF9P25 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQPF9P25 | Виробник : FSC |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FQPF9P25 Код товару: 51667 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
FQPF9P25 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQPF9P25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQPF9P25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -3.9A; Idm: -24A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -3.9A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 620mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |