![FQPF9N90CT FQPF9N90CT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4846/261_TO-220F.jpg)
FQPF9N90CT onsemi
![FAIRS46452-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.26 грн |
50+ | 214.45 грн |
100+ | 183.81 грн |
500+ | 153.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N90CT onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N90CT за ціною від 139.74 грн до 306.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF9N90CT | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
||||||||||||
FQPF9N90CT Код товару: 148086 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |