![FQPF9N50CF FQPF9N50CF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2351d9347c7a572d5cfd730259a4d274b012290b/to-220f-3.jpg)
FQPF9N50CF ON Semiconductor
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 49.29 грн |
413+ | 45.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N50CF ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N50CF за ціною від 51.32 грн до 127.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF9N50CF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 127782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FQPF9N50CF | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 44 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 44 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FQPF9N50CF | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
FQPF9N50CF | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FQPF9N50CF Код товару: 94298 |
![]() ![]() |
товар відсутній
|
||||||
![]() |
FQPF9N50CF | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FQPF9N50CF | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FQPF9N50CF | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |