![FQPF9N25CYDTU FQPF9N25CYDTU](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2679/MFG_IRG4IBC30WPBF-INF.jpg)
FQPF9N25CYDTU Fairchild Semiconductor
![FAIRS22203-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
489+ | 42.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF9N25CYDTU Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF9N25CYDTU за ціною від 55.96 грн до 112.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF9N25CYDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF9N25CYDTU | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQPF9N25CYDTU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V |
товар відсутній |