![FQPF85N06 FQPF85N06](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2351d9347c7a572d5cfd730259a4d274b012290b/to-220f-3.jpg)
FQPF85N06 ON Semiconductor
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 145.43 грн |
10+ | 117.11 грн |
25+ | 115.88 грн |
100+ | 110.63 грн |
250+ | 101.41 грн |
500+ | 96.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF85N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF85N06 за ціною від 120.51 грн до 264.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF85N06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37.5A Power dissipation: 62W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF85N06 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 37.5A Power dissipation: 62W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF85N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FQPF85N06 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
FQPF85N06 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V |
товар відсутній |