Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQPF7N65C
FQPF7N65C

FQPF7N65C ON Semiconductor

fqpf7n65c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.14 грн
12+ 52.09 грн
100+ 48.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF7N65C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FQPF7N65C за ціною від 53.7 грн до 141.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
на замовлення 26681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
348+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 348
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF7N65C_D-2313779.pdf MOSFETs 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.54 грн
10+ 88.1 грн
100+ 64.24 грн
250+ 64.17 грн
500+ 55.6 грн
1000+ 54.19 грн
2000+ 53.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+141.92 грн
10+ 115.9 грн
100+ 90.67 грн
500+ 68.6 грн
1000+ 58.32 грн
5000+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : ON Semiconductor fqpf7n65c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : ON Semiconductor fqpf7n65c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товар відсутній
FQPF7N65C FQPF7N65C Виробник : onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товар відсутній