![FQPF30N06L FQPF30N06L](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO220FP-40.jpg)
FQPF30N06L ONSEMI
![2729263.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - FQPF30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22.5 A, 0.027 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 94.62 грн |
11+ | 77.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF30N06L ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22.5 A, 0.027 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF30N06L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF30N06L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQPF30N06L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
FQPF30N06L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |