FQPF27P06 ON Semiconductor
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 64.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF27P06 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.055 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FQPF27P06 за ціною від 58.61 грн до 175.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF27P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V P-Channel QFET |
на замовлення 14791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF27P06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.055 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQPF27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQPF27P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FQPF27P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FQPF27P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 43nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO220FP |
товар відсутній |