![FQPF19N10 FQPF19N10](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2775/MFG_IRG4IBC30UDPBF.jpg)
FQPF19N10 onsemi
![FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
489+ | 42.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF19N10 onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF19N10 за ціною від 39.58 грн до 98.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 54.4A Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF19N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 54.4A Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V |
товар відсутній |