![FQL50N40 FQL50N40](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/12/TO-264-3,-TO-264AA.jpg)
FQL50N40 Fairchild Semiconductor
![FAIRS35074-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: HPM F2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 543.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQL50N40 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQL50N40
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQL50N40 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FQL50N40 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товар відсутній |