![FQH8N100C FQH8N100C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2173/TO-247-3-AD-EP.jpg)
FQH8N100C onsemi
![fqh8n100c-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.61 грн |
30+ | 264.51 грн |
120+ | 226.72 грн |
510+ | 189.12 грн |
1020+ | 161.94 грн |
2010+ | 152.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQH8N100C onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQH8N100C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
FQH8N100C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Power dissipation: 225W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
FQH8N100C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
FQH8N100C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Power dissipation: 225W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |