![FQD7P20TM FQD7P20TM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5972/488%7EMKT-TO252A03%7E%7E2.jpg)
FQD7P20TM onsemi
![fqd7p20-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 31.81 грн |
5000+ | 29.18 грн |
12500+ | 27.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD7P20TM onsemi
Description: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.
Інші пропозиції FQD7P20TM за ціною від 27.04 грн до 91.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 19042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 10594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FQD7P20TM Код товару: 149423 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: DPAK On-state resistance: 0.69Ω Kind of package: reel; tape Technology: QFET® Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD7P20TM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: DPAK On-state resistance: 0.69Ω Kind of package: reel; tape Technology: QFET® Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.6A |
товар відсутній |